위험관리와 생명보험 『가계나 기업에 있어서 우연한 사건(발생의 유무, 시기, 정도를 미리 예측할 수 없는 것)으로 인해 경제적으로 손해가 발생할 가능성』에 대한 대비 조기사망 및 고도장애 위험- 보장성보험 (정기보험 Term Life Insurance) , (종신보험 Whole Life Insurance) 폐질, 질병, 장애, 사고 위험-건강보험 (Health Insurance) 노령화와 소득상실 위험-연금 (Golden Age) 생명보험의 피보험이익 피보험이익이란? 보험계약으로 보호 받고자 하는 이익 또는 보험의 목적에 대한 보험사고의 발생과 관련하여 피보험자 또는 수익자가 가지는 경제적 이해관계 상법 제668조-(보험계약의 목적) 보험계약은 금전으로 산정할 수 있는 이익에 한하여 보험계약의 목적으로 ..
전자 리소그래피 광 리소그래피보다 해상도가 좋으나, 느린 노광 비율(시간당 웨이퍼 수) 초점이 맞춰진 전자의 흐름이 전자 레지스트를 감광시키기 위한 에너지를 공급하고, 원하는 패턴을 기록하기 위해 전자빔을 스캔함 전자 빔을 조정하기 위해 필요한 정보는 컴퓨터에 저장되고, 마스크는 사용되지 않음 나노 임프린트 고해상도 리소그래피는 고가이나, 나노 임프린트는 고해상도이면서 저가 미세 패턴을 만드는데 전자 리소그래피가 사용되고, 그 패턴으로 “스탬프(stamp)”를 만든 후, 스탬프를 이용해서 웨이퍼 표면 위의 부드러운 코팅에 압착시켜 미세 패턴 자국(imprint)을 만들고, 코팅이 단단해지면 미세 패턴이 웨이퍼 상에 복제됨 스탬프는 많은 웨이퍼를 생산하기 위해 반복 사용됨
네거티브 레지스트 빛에 감광된 영역은 폴리머가 되고 용매에 녹이는 것이 더 어렵게 됨 현상액(용매)에 넣으면 폴리머가 된 영역은 남고, 감광되지 않은 영역은 용해되어 씻겨 나감 포지티브 레지스트 현상액 내에서 레지스트의 용해율을 늦추는 안정제를 포함하고 있음 이 안정제는 빛에 노출되면 파괴되므로, 노광된 영역이 선택적으로 제거됨 산화물 제거 완충된 플루오르화 수소산(buffered HF)을 사용하여 산화물 제거 포토레지스트 제거 레지스트 스트립 용액으로 제거하거나, 애셔(asher)라고 하는 산소 플라즈마나 UV 오존 시스템 속에서 산화하거나 연소시켜 제거 리소그래피 해상도 리소그래피 해상도=kλ (k 인자는 렌즈 시스템과 광마스크 기술에 의존) 248nm와 193nm(깊은 UV)의 레이저 광원 사용 더..
평면 기술, 실리콘의 산화, 포토리소그래피 혹은 광학 리소그래피
•웨이퍼 기판 위에 단계적으로 층층이 회로를 만드는 방법 실리콘 소자 제조 공정에서 몇 가지 기본 단계. (a) 실리콘 산화, (b) 선택적 산화물 제거, (c) 도펀트 원자 주입, (d) 실리콘 내부로 도펀트 원자 확산 실리콘 산화물 실리콘 안으로 도펀트를 주입시킬 때 마스크 역할 금속-산화물-반도체 트랜지스터의 가장 결정적인 구성 요소 실리콘 산화물 제조 정밀한 두께로 제어해야 하는 SiO2층은 높은 온도에서 Si를 산소 가스 혹은 수증기와 작용시켜 제조 반응식 : 건식 산화 : 산소 사용. 얇은 산화물 막 형성 습식 산화 : 수증기 사용. 빠른 비율로 진행되고 두꺼운 산화물 막 형성 포토리소그래피 혹은 광학 리소그래피 도펀트 원자가 주입될 영역에 있는 산화물을 선택적으로 제거하는 공정 리소그래피 공..
확산 전류 , 확산 현상,
확산 현상 확산(diffusion)은 입자들의 열 운동으로 인해 발생하는 현상 확산은 상대적으로 더 높은 입자 농도를 갖는 지점에서 상대적으로 더 낮은 농도의 지점을 향해서 입자들이 움직여 가는 과정 에너지 다이어그램 에너지 다이어그램 양의 전압은 양 전하의 위치 에너지를 증가시키고 음 전하의 위치 에너지를 감소시킴 에너지 다이어그램은 전자(음전하)의 에너지를 그린 것이기 때문에 양의 전압은 에너지 다이어그램의 그림을 아래쪽으로 낮춤 전압이 높은 지점에서 에너지 다이어그램이 낮게 내려오고, 전압이 낮은 지점일수록 밴드다이어그램은 높이 올라감 (Ec와 Ev는 항상 일정하게 Eg만큼 분리) 기억할 사항은 Ec와 Ev는 전압과 반대 방향으로 변화한다는 것. Ec와 Ev는 전압이 낮은 곳일수록 위로 올라감. 상수
열 운동 , 드리프트
평균 자유 시간과 평균 자유 행로 전자와 정공은 열 속도로 움직이며 결정 내 결함들과 충돌하거나 산란 충돌 사이의 평균 자유 시간은 전형적으로 (0.1 picosecond) 충돌 간의 거리는 수십 나노미터 혹은 수백 옹스트롬 시간에 대해 평균한 혹은 어느 특정 시간에 수많은 캐리어에 대해 평균한 순(net) 열 속도는 영(zero) 열 운동은 일정한 전류는 생성시키지 않고, 그 대신 열잡음을 생성 열-점 탐침, 열전 발전기와 냉각기 열-점 탐침 테스트 : 반도체 샘플의 도핑 형태를 테스트 열전 발전기 : 온도 차이를 주어 전력을 생성 열전 냉각기 : 전류를 공급하여 한 세트의 접합을 다른 쪽 접합보다 냉각 드리프트 전계가 원인이 되어 발생된 전하 캐리어들의 움직임 전자와 정공의 이동도 전기장 이 가해졌을..
밴드 갭 에너지 측정
밴드 갭 에너지 측정 만약 반도체가 0.87μm보다 긴 파장의 빛에 투명하다면, 그것의 밴드 갭 에너지는 얼마인가? 0.87μm 파장을 가진 빛의 광자 에너지는, 빛의 속도 c를 이용하면 따라서, 반도체의 밴드 갭은 1.42eV. 이 반도체는 아마 GaAs일 것이다([표 1-1] 참조). 유용한 관계식 : 밴드 모델에서 도너와 억셉터 밴드 모델에서 도너와 억셉터 As, P, Sb, B는 실리콘에서 가장 흔하게 사용되는 도펀트 이온화 에너지가 작은 억셉터와 도너 준위들을 얕은 준위(shallow level) 깊은 준위(deep level)는 구리나 금과 같은 불순물을 첨가하면 생성. 이들은 매우 다른 방법으로 실리콘 특성에 영향을 줌 각각의 에너지밴드는 기본 셀 당 2개의 전자를 가질 수 있어, Au, A..