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•웨이퍼 기판 위에 단계적으로 층층이 회로를 만드는 방법
실리콘 소자 제조 공정에서 몇 가지 기본 단계. (a) 실리콘 산화,
(b) 선택적 산화물 제거, (c) 도펀트 원자 주입, (d) 실리콘 내부로 도펀트 원자 확산
실리콘 산화물
실리콘 안으로 도펀트를 주입시킬 때 마스크 역할
금속-산화물-반도체 트랜지스터의 가장 결정적인 구성 요소
실리콘 산화물 제조
정밀한 두께로 제어해야 하는 SiO2층은 높은 온도에서 Si를 산소 가스 혹은 수증기와 작용시켜 제조
반응식 :
건식 산화 : 산소 사용. 얇은 산화물 막 형성
습식 산화 : 수증기 사용. 빠른 비율로 진행되고 두꺼운 산화물 막 형성
포토리소그래피 혹은 광학 리소그래피
도펀트 원자가 주입될 영역에 있는 산화물을 선택적으로 제거하는 공정
리소그래피 공정의 주요 단계들. (a) 레지스트의 도포, (b) 마스크와 광학적 축소 시스템을 통해 레지스트를 노광, (c) 노광된 레지스트의 현상 후, (d) 산화물 에칭과 레지스트 제거 후. ([2]에 따름. Pearson Education, Inc.(Upper Saddle River, NJ.)의 허가로 재인쇄)
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