리소그래피

네거티브 레지스트
빛에 감광된 영역은 폴리머가 되고 용매에 녹이는 것이 더 어렵게 됨
현상액(용매)에 넣으면 폴리머가 된 영역은 남고, 감광되지 않은 영역은 용해되어 씻겨 나감

포지티브 레지스트
현상액 내에서 레지스트의 용해율을 늦추는 안정제를 포함하고 있음
이 안정제는 빛에 노출되면 파괴되므로, 노광된 영역이 선택적으로 제거됨


산화물 제거
완충된 플루오르화 수소산(buffered HF)을 사용하여 산화물 제거

포토레지스트 제거
레지스트 스트립 용액으로 제거하거나, 애셔(asher)라고 하는 산소 플라즈마나 UV 오존 시스템 속에서 산화하거나 연소시켜 제거

리소그래피 해상도
리소그래피 해상도=kλ (k 인자는 렌즈 시스템과 광마스크 기술에 의존)
248nm와 193nm(깊은 UV)의 레이저 광원 사용
더 짧은 파장(157nm 등)에서는 렌즈와 마스크 판을 제작할 만한 적절한 투명 물질이 없음

스태퍼(stepper)
리소그래피 필드 : 최고의 광해상도를 얻기 위해 약 10cm 에 해당하는 웨이퍼의 작은 영역만이 노출
이 노광 단계를 전체 웨이퍼가 모두 노광될 때까지 웨이퍼를 이동하며 스텝 앤 리피트(step-and-repeat) 동작을 반복 : 스태퍼

광 근접 보정(OPC)
선 두 개가 가깝게 위치하면 서로 연결될 수 있음
이는 광 마스크 상에서 약간 더 가는 선을 만들어줌으로써 고칠 수 있음

위상-변이 마스크(phase-shift photomask)
광 마스크 기판을 선택적으로 에칭함으로써, 가늘고 검은 선의 양쪽 두 투명 영역에 180˚의 위상 차이를 만듦
어두운 영역으로의 회절은 전기장이 반대 부호(180˚의 위상 차이)를 갖게 되어 부분적으로 서로 상쇄되어, 보다 가는 선의 패턴을 얻음

정렬(alignment)
두 리소그래피 간에는 최소 도형 단위(minimum feature size)의 약 3분의 1의 정밀도를 갖고, 마스크 패턴을 정렬시켜야 함

리소그레피는 모든 IC 제조 단계들 중에서 가장 어렵고 고가인 공정