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•웨이퍼 기판 위에 단계적으로 층층이 회로를 만드는 방법 실리콘 소자 제조 공정에서 몇 가지 기본 단계. (a) 실리콘 산화, (b) 선택적 산화물 제거, (c) 도펀트 원자 주입, (d) 실리콘 내부로 도펀트 원자 확산 실리콘 산화물 실리콘 안으로 도펀트를 주입시킬 때 마스크 역할 금속-산화물-반도체 트랜지스터의 가장 결정적인 구성 요소 실리콘 산화물 제조 정밀한 두께로 제어해야 하는 SiO2층은 높은 온도에서 Si를 산소 가스 혹은 수증기와 작용시켜 제조 반응식 : 건식 산화 : 산소 사용. 얇은 산화물 막 형성 습식 산화 : 수증기 사용. 빠른 비율로 진행되고 두꺼운 산화물 막 형성 포토리소그래피 혹은 광학 리소그래피 도펀트 원자가 주입될 영역에 있는 산화물을 선택적으로 제거하는 공정 리소그래피 공..

확산 현상 확산(diffusion)은 입자들의 열 운동으로 인해 발생하는 현상 확산은 상대적으로 더 높은 입자 농도를 갖는 지점에서 상대적으로 더 낮은 농도의 지점을 향해서 입자들이 움직여 가는 과정 에너지 다이어그램 에너지 다이어그램 양의 전압은 양 전하의 위치 에너지를 증가시키고 음 전하의 위치 에너지를 감소시킴 에너지 다이어그램은 전자(음전하)의 에너지를 그린 것이기 때문에 양의 전압은 에너지 다이어그램의 그림을 아래쪽으로 낮춤 전압이 높은 지점에서 에너지 다이어그램이 낮게 내려오고, 전압이 낮은 지점일수록 밴드다이어그램은 높이 올라감 (Ec와 Ev는 항상 일정하게 Eg만큼 분리) 기억할 사항은 Ec와 Ev는 전압과 반대 방향으로 변화한다는 것. Ec와 Ev는 전압이 낮은 곳일수록 위로 올라감. 상수

평균 자유 시간과 평균 자유 행로 전자와 정공은 열 속도로 움직이며 결정 내 결함들과 충돌하거나 산란 충돌 사이의 평균 자유 시간은 전형적으로 (0.1 picosecond) 충돌 간의 거리는 수십 나노미터 혹은 수백 옹스트롬 시간에 대해 평균한 혹은 어느 특정 시간에 수많은 캐리어에 대해 평균한 순(net) 열 속도는 영(zero) 열 운동은 일정한 전류는 생성시키지 않고, 그 대신 열잡음을 생성 열-점 탐침, 열전 발전기와 냉각기 열-점 탐침 테스트 : 반도체 샘플의 도핑 형태를 테스트 열전 발전기 : 온도 차이를 주어 전력을 생성 열전 냉각기 : 전류를 공급하여 한 세트의 접합을 다른 쪽 접합보다 냉각 드리프트 전계가 원인이 되어 발생된 전하 캐리어들의 움직임 전자와 정공의 이동도 전기장 이 가해졌을..